4月22日下午，应我校物理学院邀请，中科院半导体研究所研究员邓惠雄在物理南楼学术报告厅作了一场以“半导体中的掺杂与缺陷物理”为题的学术报告。学院教师、研究生和本科生90余人参加此次报告会。
邓惠雄向学生介绍了半导体材料的特点，并围绕半导体中的掺杂与缺陷相关问题展开讨论。他以半导体芯片制造工艺流程为例，讲述了精确可控、分区域掺杂等方式产生的缺陷在半导体材料性能中所发挥的作用。其主要包括半导体缺陷与掺杂计算理论的发展、金属杂质的扩散机理、低维半导体中缺陷与掺杂、半导体合金与高浓度掺杂的稳定性等。报告内容丰富，有助于师生了解最新科研动态、扩宽学术视野，激发学生在学术研究的兴趣。
报告结束后，邓惠雄与现场师生进行互动，就其提出的相关问题给予细致的解答。讲座在参会人员的热烈掌声中结束。
专家简介：
邓惠雄，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员，国家优秀青年基金获得者，中科院创新促进会会员，中国电子学会青年科学家俱乐部成员，半导体学报、Infomat期刊青年编委，世界科技研究与发展期刊编委。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料的物性探究与设计的研究工作。迄今已在Nature Energy、Nature Comm、Phys.Rev.Lett.、Light：Science&Applications、Phys.Rev.X、Phys.Rev.B、Adv.Mater.等期刊上发表SCI论文60余篇。
（物理学院 张浩兴 巫俊瑞）
