应我校电子与电气工程学院邀请，深圳大学刘新科研究员于5月6日上午10：30点在物理北楼C-208举行题为“基于氮化镓单晶衬底的半导体器件”的专题学术讲座。电子与电气工程学院负责人、师生代表100余人参加讲座。讲座由电子学院院长王长清主持。
刘新科研究员介绍了基于氮化镓单晶衬底的半导体器件国内外现状并对包括SBDs、PNDs、JBS等在内的半导体器件进行了简要讲解。他重点讲解了基于氮化镓单晶衬底的半导体器件方面的研究成果。通过本次讲解提升了同学们对新型半导体器件的认知，为专业青年教师今后的研究思维方式与方法开拓思路。
讲座结束后，青年教师就研究方向与刘新科研究员进行了互动交流，本科生和研究生分别就申请攻读深圳大学硕士和博士的难度和所需条件方面的问题进行提问。刘新科研究员大家提出的问题均作了详细解答，并鼓励青年教师学子多去深圳大学交流学习。
专家简介：
刘新科，深圳大学大学研究员，获得新加坡国立大学材料本科和电子与电气工程博士(2013), 新加坡国立大学电子与电气高级访问学者，美国加州伯克利分校访问学者，外籍博士研究生导师，获得深圳市孔雀计划B类和中科院百人计划人才称号。致力于GaN-on-GaN电力电子器件的前沿科学基础研究，目前承担国家基金委自然科学基金，科技部重点研发计划课题和任务，广东省重点研发计划，深圳市基础布局等10多项科研项目，以第一或通信作者发表85篇SCI (h-index 20)，授权专利11项并实现11项专利转让，科研成果被Semiconductor Today, MaterialsviewChina报道。获得获得广东省本科高校在线教学优秀案例一等奖，深圳大学2017-2018年度科研突出贡献奖, 深圳大学2019-2020年度教学突出贡献奖，入选全球2019年度科学影响力排行榜(美国斯坦福大学全球2%科学家，应用物理方向)。
（电子与电气工程学院徐世周）
