应我院邀请，复旦大学丁士进教授于04月19日上午10：30点在物理北楼学术报告厅举行题为《氧化物半导体逻辑与存储器件》的专题学术讲座。我院党委副书记邓晓刚、副院长王芳、牛有田教授及师生代表200余人参加讲座。讲座由学院副院长王芳主持。

丁教授首先介绍了氧化物半导体场效应晶体管的发展历史，对比分析了IGZO、ZnO、In2O3氧化物半导体场效应晶体管（逻辑器件）；其次，就当前的比较热门的金属纳米晶、氧化物半导体等电荷俘获型氧化物半导体存储器进行了讲解；最后，就自己研究对象的产业化前景进行了简要分析。

讲座结束后，与会老师和学生就国内氧化物半导体技术水平、存储器件供需安全、微电子考研及就业前景等方面的问题进行提问。丁教授对青年教师提出的实验制备方法、图形处理、现阶段研究热点、未来就业形势等问题均做了详细解答，还鼓励青年教师经常去复旦大学交流。整个讲座和互动过程均获得老师和同学们的热烈掌声。

（文徐世周、张林庆）

专家简介：

丁士进：二级研究员、复旦大学特聘教授、博士生导师。2001年6月获复旦大学博士学位，2001.10-2002.11在德国基尔大学从事洪堡学者研究，2003.2-2004.12在新加坡国立大学任研究员（Research Fellow），2005年加入复旦大学。作为项目负责人承担了02科技重大专项课题、863项目、国家自然科学基金项目、教育部科学技术研究重点项目等10余项。发表SCI论文260余篇；获授权中国发明专利40多项，获授权美国、欧盟发明专利3项。先后获得德国洪堡基金会研究奖学金（Research Fellowship）、上海市浦江人才、教育部新世纪优秀人才、复旦大学“世纪之星”称号。多次担任美国真空协会ALD国际会议委员会委员，国际ALD应用会议主席；受邀在美国、日本、韩国等的国际学术会议上做邀请报告10余次。