应我院邀请，华中师范大学大学高建军教授（博导）于4月9日上午9点在腾讯会议平台上作了题为《MICROWAVE MODELING AND MEASUREMENT FOR DEEP-SUBMICROMETER MOSFETs》的专题学术讲座。我院负责人、师生代表100余人参加讲座。讲座由院长王长清主持。

高建军教授首先简要介绍了华东师范大学微波学科发展历史、微波研究团队及研发平台，并就现阶段国内外研究现状进行综述；其次介绍MOSFET的基本理论，包括基本原理、器件建模、设计手段、应用水平等；最后对该领域的研究热点进行分析。该讲解有助于与会人员加深对MOSFET研究方法和应用领域的认识，提升从事该研究领域的研究生的认知，拓宽青年教师未来在该领域进行科研工作的思维方式与方法。

讲座结束后，与会老师和学生就讲座内容和研究热点进行了提问。高建军教授对大家提出的问题均作了详细解答，并鼓励青年老师和研究生赴华东师范大学进行学术交流。

（文 徐世周）

专家简介：

高建军教授，1991年清华大学电子系本科毕业，获得电磁场与微波技术专业工学学士学位。1994年获得电子工业部第十三研究所微电子学硕士学位。1999年获得清华大学电子系电磁场与微波技术专业工学博士学位。2001年中国科学院微电子研究所博士后出站并获得副研究员任职资格。2001年至2004年，先后应邀到新加坡南洋理工大学电子电气工程学院、德国柏林工业大学和加拿大卡尔顿大学做博士后研究工作。2005年至2007年，任东南大学无线电工程系教授和博士生导师。2007年9月起，任华东师范大学“紫江学者”特聘教授、博士生导师。在国际刊物发表器件建模技术相关论文超过100 篇，其中以第一作者发表IEEE Transaction 长文11 篇。2005 年入选IEEE高级会员和教育部新世纪人才计划，目前为多个国际杂志和会议的编委和审稿人，已撰写出版中文专著三部，英文专著三部。