1月5日，华中科技大学何毓辉教授应邀来我院交流访问，并为我院师生作了题为“基于互补记忆晶体管的神经形态计算研究”的学术报告。

何毓辉教授的报告围绕现代集成电路中最常用的硬件单元互补晶体管（CMOS）展开，深入阐述了在神经形态计算中采用互补的记忆晶体管（complementary memtransistor）在算法实现方面是否具有独特优势，在硬件层面又是如何实现互补记忆等关键问题，同时展示了其课题组在基于互补晶体管实现脉冲神经网络的远程监督学习（ReSuMe）算法、奖励调制下的脉冲时序依赖可塑性（R-STDP）算法、事件驱动的感存算一体架构方面的探索和研究。

报告结束后，何毓辉教授与参会专家及我院师生就感存算一体架构方面技术难点以及未来应用场景展开深入讨论与交流。

专家简介：

何毓辉，华中科技大学集成电路学院教授。2009年获北京大学微电子学博士学位，先后在中国科学院微电子研究所与日本大阪大学产业科学研究所从事博士后研究，2015年入职华中科技大学微电子系，2016年入选国家海外高层次人才计划青年项目。长期从事纳电子器件相关研究，包括基于固态纳米孔的DNA测序方法、基于忆阻器件的类脑计算研究，指导学生在微电子旗舰会议IEDM、Nat. Electron.、Nat. Commun.、Adv. Mater.等期刊发表多篇论文。

（物理学院 申陈海）