1月5日，应我院邀请，华中科技大学周兴副教授为我院师生作题为“二维半导体材料与光电器件”的学术报告，我院相关教师及研究生参加了报告会。

随着光电子器件工艺的飞速发展和硅基集成电路的器件尺寸日益逼近其物理极限，传统的半导体材料面临着前所未有的挑战。二维光电材料由于表面效应、和量子限域效应而带来的高载流子迁移率、可调的光电属性、良好的机械柔性以及半导体工艺可兼容性等优点，有望成为继任者，推动国防科技、信息通讯以及新兴产业的持续发展。而对于高性能光电器件而言，需要半导体材料具有高结晶度、均匀可控的尺寸和厚度，以减少缺陷、形貌不均匀带来的载流子散射等问题，同时还要求其载流子和能带结构可有效调控，以实现光电性能的最优化与功能集成。然而二维材料由于其比表面大，导致其生长过程和载流子输运过程难调控。针对以上问题，周兴副教授课题组开发了近稳态供源和盐辅助钝化生长策略，实现了系列二维材料及其异质结的可控制备；发展了缺陷和能带调控策略，实现了高响应度、快速响应等优异性能的光探测器的构筑；设计了能带排列可调的双极性范德华异质结，构筑了宽光谱感算一体光探测原型器件。

报告结束后，周兴副教授与参会专家就钝化缺陷方式对广泛二维材料适用性等问题进行了深入讨论与交流。

专家简介：

周兴，华中科技大学材料学院副教授，博士生导师，国家优秀青年科学基金获得者（2023）。获2022年度中国半导体十大研究进展，入选中国科协青年人才托举工程，湖北省楚天学子等。主要从事二维材料与智能光电器件研究，以第一和通讯作者在Nat. Electron.，Adv. Mater.，Matter，Adv. Funct. Mater.，JACS，ACS Nano等期刊上发表论文46篇（35篇IF>10），ESI高倍引论文7篇，授权专利9项。主持基金委优青、面上（2）、青年等项目，参与国家重点研发计划1项。担任Nano-Micro Letters、无机材料学报和Rare Metals等期刊青年编委。

（物理学院 宋孝辉 张浩兴）