1月7日，中科院金属所徐川研究员受邀来我院进行学术交流，并作题为“二维过渡金属碳化物、硅氮化物的CVD法控制制备与物性研究”的学术报告。

报告内容聚焦于高导电、高硬度、高催化活性、低温超导特性的过渡金属碳氮化物，通过创新的双金属基底CVD方法成功实现了正交Mo2C、六方WC、立方TaC等多种大尺寸高质量超薄过渡金属碳化物晶体的控制制备。也报告了最新的研究进展，在MoN（WN）生长过程中引入Si元素，成功实现了晶圆级单层MoSi2N4（WSi2N4）薄膜以及3R相多层WSi2N4晶体的高效控制制备，并揭示了这些材料在力学、热学和光学等方面的卓越性质。

报告结束后，徐川研究员与我院师生就CVD可控制备高质量薄膜的相关问题进行了深入的交流和讨论。

专家简介：

徐川，中国科学院金属所研究员/博导，获国家自然科学基金优秀青年科学基金资助，入选沈阳市高层次人才（领军人才），金属所“引进优秀学者”计划和中国科学院青年创新促进会，荣获金属所师昌绪青年科技人才基金，获中国科学院优秀博士学位论文、中国科学院“院长特别奖”等荣誉奖励。主要从事石墨烯及新型二维材料的控制制备、物性研究与应用探索，目前共在Science、Nature Materials、Nature Communications、Advanced Materials等期刊发表学术论文30余篇，SCI他引5000余次，申请国家发明专利20余项，撰写英文专著1章。

（物理学院 申陈海）