4月22日下午，应我校物理学院邀请，中科院半导体研究所副研究员刘岳阳来我校讲学。本次报告在物理南楼报告厅举行，物理学院的师生参加了报告会。

刘岳阳副研究员以“半导体器件可靠性量子模拟”为题，介绍了本研究的研究背景、所构建的研究框架以及解决的问题。首先，他简述了量子模拟的研究背景，即半导体器件的可靠性问题和解决可靠性问题面临的挑战。然后，他为我们展示了本研究研究框架的建立过程：在无定形结构建构、电子结构精确计算、电子转移理论基础上建立了电子俘获理论模拟框架。最后，他向我们介绍了利用理论框架进行的一系列研究，包括Si/SiO2单层面体系，Si/SiO2/HfO2双层面体系等等。

报告结束，刘老师还与学生互动，对学生提问进行了耐心详细的解答。

专家简介：

刘岳阳，中国科学院半导体研究所副研究员。2017年6月博士毕业于湖南大学，7月加入中科院半导体所进行博士后研究，2019年2月赴美国劳伦斯伯克利国家实验室进行访学研究，2020年11月入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。长期从事半导体器件模拟与器件可靠性研究，迄今以第一作者身份在IEDM、Physical Review Applied、Applied Physics Letters等国际会议和期刊上发表论文十余篇。

（物理学院 张浩兴 曹静怡）