4月22日下午，应我校物理学院邀请，中科院半导体研究所研究员邓惠雄在物理南楼学术报告厅以“半导体中的掺杂与缺陷物理”为题作了学术报告，学院教师、研究生和本科生90余人参加此次报告会。

邓惠雄研究员首先跟大家介绍了半导体材料的特点，纯净的半导体材料并不具有良好的导电性，必须进行掺杂和缺陷控制后才能调控和优化其导电性，从而制备出优良的微电子和光电子器件。邓惠雄研究员以半导体芯片制造工艺流程为例，讲述了精确可控、分区域掺杂等方式产生的缺陷在半导体材料性能中所发挥的作用。在本报告中，邓惠雄研究员围绕半导体中的掺杂与缺陷相关问题展开讨论，以半导体芯片制造工艺流程为例，讲述了精确可控、分区域掺杂等方式产生的缺陷在半导体材料性能中所发挥的作用。主要包括：半导体缺陷与掺杂计算理论的发展、金属杂质的扩散机理，低维半导体中缺陷与掺杂，半导体合金与高浓度掺杂的稳定性等。报告内容丰富，有助于师生了解最新科研动态、扩宽学术视野，激发学生在学术研究的兴趣。

报告结束后，邓惠雄研究员与现场师生进行了互动，就大家提出的相关问题给予了耐心细致的解答。讲座在参会人员的热烈掌声中结束。

报告人简介：邓惠雄，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员，国家优秀青年基金获得者，中科院创新促进会会员，中国电子学会青年科学家俱乐部成员，半导体学报、Infomat期刊青年编委，世界科技研究与发展期刊编委。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料的物性探究与设计的研究工作。迄今已在Nature Energy、Nature Comm、Phys.Rev.Lett.、Light：Science&Applications、Phys.Rev.X、Phys.Rev.B、Adv.Mater.等期刊上发表SCI论文60余篇。

（物理学院 张浩兴 巫俊瑞）