5月8日，应我院邀请，中国科学院微电子研究所吴振华研究员作题为“先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真方法及应用研究”线上学术报告，我院相关师生参加了会议。

吴老师首先系统阐述了先进工艺节点晶体管的多物理TCAD仿真的背景和物理含义，并介绍了微电子所在先进工艺节点多栅器件FinFET、Nanowire FET的TCAD仿真研发工作；之后详细介绍了近年来应用跨尺度物理模型，建立Physics-based材料-器件-单元电路联动TCAD仿真闭环，开展低功耗器件的path-finding探索研究进展。

报告会结束后，吴老师与我院教师以及学生就晶体管的多物理TCAD仿真问题展开深入讨论与交流。

报告人简介：

吴振华,中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。2011年于中国科学院半导体研究所获得博士学位。2011年-2016年任职于三星电子韩国半导体研发中心，参与研发14nm/10nm/7nm节点半导体逻辑芯片。2016年入选中国科学院海外人才引进项目加入微电子研究所。主要开展半导体器件机理，量子输运特性以及先进TCAD仿真计算方法的研究。已发表SCI论文100余篇，被引用2000余次。承担国家重点研发计划，国家自然科学基金，北京市科技委，中科院专项等多项研究项目。

（物理学院 安义鹏 张浩兴）