7月29号上午，应我院邀请，闫小兵教授为我院师生作题为“忆阻器性能提升与类脑行为机制研究”的学术报告，我院相关教师及研究生参加了报告会。

闫小兵教授在报告中提出，人们对移动电子器件便捷、高速、可携带的需求日益增长，因此非易失性存储器已被越来越多的学者所关注。其中，忆阻器因具有简单的三明治结构和开关速度快、存储密度大、功耗低等优点引起人们的广泛关注。然而忆阻器的发展也面临大规模集成、耐久性等考验，此外，忆阻器因电导连续可以实现神经仿生，减少忆阻器在学习过程的迭代次数也是当今亟待解决的热点之一，因此忆阻器性能提升问题变得尤为重要。

针对以上背景与现状，闫小兵教授结合近年来的研究工作，提出了硅基外延生长、界面工程等系列解决方案，实现了忆阻器件性能全方位的提升以及模拟神经系统的集成，并展望了忆阻器在类脑神经方向等新领域的潜在应用前景。会后，闫小兵教授针对我院师生提出的问题展开了深入的交流和讨论。

专家简介：

闫小兵，2011年于南京大学博士毕业，2012-2014年于中国科学院微电子所从事博士后研究，2014-2016年于新加坡国立大学担任Research Fellow职位。目前担任河北大学创新创业指导中心主任，近年来致力于类脑芯片关键元器件忆阻器件与系统的研发，近五年主持了国家重大研究计划培育项目1项，国家重点研发计划“纳米前沿”重点专项1项，中国科学院先导B重大专项外协课题1项，国家自然科学基金3项，河北省重点项目1项，河北省杰出青年基金1项，河北省百名创新人才项目等省部级项目10余项，作为骨干人员参与了国家863计划项目课题2项，在Nature Nanotechnology、Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、Nano Letters等杂志上发表100余篇论文。以第一作者在国家发明专利方面上申请/授权共计40/30项，申请美国专利3项，多项专利转移至公司，为国家“卡脖子”问题提供技术储备，受到国内外同行的肯定和引用，2019年被评为全球前2%顶尖科学家。目前担任Frontiers in Neuroscience杂志的客座主编，美国IEEE高级会员，Advance Materials、ACS Nano等国际权威期刊审稿人。

（物理学院 张随财）