1月8日，应我院邀请，北京理工大学孙林锋教授为我院师生作题为“面向存算一体的二维材料物态调控与器件物理设计”的学术报告，我院相关教师及研究生参加了报告会。

当前人工智能算力的发展面临瓶颈，而摩尔定律对传统计算机存算分离的架构提出了限制。以忆阻器为载体实现存储与计算融合的研究思路，为传统“冯·诺依曼”架构提供了有效解决方案。然而，传统忆阻器尺寸微缩和功耗降低方面存在的材料和器件工作机理的限制使得其进一步发展面临困境，而新型二维材料因其层状超薄特性和丰富的物理电子特性备受关注。基于此，孙林峰教授围绕神经拟态器件的物理机制展开报告，并通过构筑新型二维材料以及异质结设计新型物理原型器件，实现新型信息电子器件在类脑计算上的应用，为新型信息电子器件在类脑计算领域的应用打下了坚实基础。

会后，孙林峰教授与我院师生就二维材料忆阻器的实现及应用展开了深入讨论。

专家简介：

孙林锋，北京理工大学物理学院，教授，博士生导师，国家重点研发计划首席青年科学家，国家高层次海外青年引进人才，北京理工大学徐特立青年学者。主持国家重点研发计划、北京市自然科学基金重点研究计划、173 基础加强项目，国家自然科学基金项目、徐特立青年学者启动计划等项目。长期以来从事新型二维材料物态调控与类脑器件物理设计方面的研究工作。近年来以第一/通讯作者在 Nature Communications, Science Advances, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Letters 等期刊上发表论文 60 余篇。担任《InfoMat》、《Nano-Micro Letters》、《SmartMat》、《The Innovation》、《The International Journal of Extreme Manufacturing》等期刊编委/青年编委，以及 Nature Materials, Nature Communications, Science Advances, Advanced Materials 等期刊独立审稿人。连续两年担任中国科学十大进展评委、国家重点研发计划专项评委、北京市自然科学基金重点项目评委、河南省重大科技专项评审组组长等工作。

（物理学院 张随财）