1月8日，应我院邀请，西安电子科技大学宁静教授为我院师生作题为“低维宽禁带氮化物异质结及器件研究”的学术报告，我院相关教师及研究生参加了报告会。

宁静教授在报告中指出，在后摩尔时代，器件微型化和多功能化成为发展趋势。宽禁带半导体因其独特的物理特性而备受关注，然而，极限尺寸下不可避免的非理想效应给其应用带来了一定的局限性。宁静教授将分享她团队在宽禁带半导体氮化物低维化方面的全新思路，通过研究低维宽禁带氮化物异质结及器件，以增强栅控能力、改善输运特性，为突破后摩尔时代器件的尺寸及功能瓶颈提供了有力支持。这一研究方向在纳米尺度下深入探索宽禁带半导体的电子结构及量子效应，具有重要的理论和实验意义。

专家简介：

宁静，西安电子科技大学微电子学院，教授，博导，国家级青年人才。主要从事新型半导体材料及器件研制工作，隶属于宽禁带半导体国家工程研究中心。主持国家自然科学基金项目、国家重点研发计划等 20 余项目。担任《中国科学信息科学》期刊青年编委、中国电子学会青年科学家俱乐部理事。获陕西省电子学会自然科学奖一等奖、陕西省高等学校科学技术奖一等奖及多次获国内外顶尖会议优秀邀请报告奖；入选陕西省青年科技新星。

（物理学院 宋孝辉 张浩兴）